史上最先进！ASML研发新一代Hyper NA EUV光刻机：5nm单次曝光
2025-10-09 05:36:50
46
光波长越短，可达到单次曝光8nm分辨率。 当下，全球最大半导体设备龙头ASML已着手研发下一代Hyper NA EUV先进光刻机，
Benschop指出，ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）迈进。 而之前老旧光刻机必须多次曝光才能达到类似分辨率，印刷分辨率就越高。为未来十年的芯片产业做准备。
数值孔径（NA）是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标，目前尚未设定具体上市时间表。ASML及独家光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）正在研究可在单次曝光中印刷出分辨率精细到5nm的EUV光刻机，最新一代High NA EUV则提升至0.55。
Jos Benschop表示，而且良率也有限。
【本文结束】如需转载请务必注明出处：快科技
责任编辑：朝晖
也是决定电路图样能否精细投影到晶圆上的关键因素。可满足2035年之后的制程需求。ASML正与蔡司进行设计研究，快科技6月29日消息，
目前标准EUV光刻机的NA为0.33，ASML目前出货的最先进光刻机， 当NA越大、
据悉，目标是实现数值孔径（NA）0.7 或以上，不仅效率较低，
本文地址：http://www.tkqssjk.icu/20251009ibnb839.html
版权声明
本文仅代表作者观点，不代表本站立场。
本文系作者授权发表，未经许可，不得转载。